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NCV840x：安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動IC
首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。
2009-12-21
安森美 汽車標(biāo)準(zhǔn) 自保護(hù) MOSFET 驅(qū)動IC
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首爾半導(dǎo)體LED應(yīng)用于世界最大游輪的照明
首爾半導(dǎo)體LED通過與特別制作高級郵輪個(gè)人露臺英國的照明企業(yè)合作，向綠洲號的所有個(gè)人露臺提供了該產(chǎn)品。 用于游輪的露臺照明內(nèi)置有每個(gè)裝置最大消耗4.5W（瓦）的3個(gè)LED，與鹵素?zé)粝啾龋茉葱侍岣吡思s10倍，露臺的燈光不會照射到客房內(nèi)。是能夠減少游輪耗電的最佳產(chǎn)品。
2009-12-21
首爾 半導(dǎo)體 LED 游輪 照明
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機(jī)遇
在過去10年中，中國的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來看，根據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局提供的數(shù)據(jù)，當(dāng)前中國1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬噸標(biāo)準(zhǔn)煤，大約是日本的7.2倍，是德國的5.62倍，是美國的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國的GDP要趕超美國，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機(jī)遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府?dāng)偱院匣锸召徲w凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進(jìn)行談判。英飛凌是德國最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購
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第一講 中國新型顯示技術(shù)分析及發(fā)展概述
本節(jié)主要講顯示技術(shù)的前世今生。
2009-12-21
顯示 歷史 發(fā)展 TFT LCD
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2010十大科技猜想：超級電容車將面世
美國某雜志網(wǎng)站近日對2010年的科技發(fā)展趨勢進(jìn)行了分析，并預(yù)測2010年或?qū)⑷〉弥卮笱芯窟M(jìn)展的十大科技產(chǎn)品或科技概念，其中包括仿人機(jī)器人、“超級電容”動力汽車，和直接碳燃料技術(shù)等。
2009-12-21
2010 科技猜想 超級電容車 機(jī)器人
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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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