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電子元器件業景氣期將至 相關公司擴張產能
電子元器件類上市公司近期的擴張產能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進行產能擴張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產線項目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產線技術改造項目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴張 半導體
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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關系可以區分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例
SDRAM時鐘分析案例:串聯匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設計中，需要加上串聯的電阻和并聯的電容，如果MCU輸出的時鐘驅動能力弱，可以不使用并聯的電容或者換用較小的電阻。準確的測量內存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準確的測量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測試 SDRAM 時鐘分析
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AP2101/AP2111：Diodes推出為USB應用優化的高電流電源開關
Diodes針對高電流應用推出兩款新器件以擴展旗下AP21XX電源開關產品線。最新的單通道AP2101及AP2111可提供高達2A的連續輸出電流，且經過優化，適合自我供電和總線供電USB，以及其他3-5V的熱插拔應用。
2009-12-18
AP2101 AP2111 Diodes USB 電流電源開關
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學研究生院工學系研究專業附屬綜合研究機構與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項目 硅
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工信部明確環保使用期限，控制電子產品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產品制造企業確定所生產產品的環保使用期限，工業和信息化部發布了《電子信息產品環保使用期限通則》(簡稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產品污染 環保
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2010年LED產業展望
LED業者一致認為，LED最終應用將面向廣大的照明市場。2009年LED TV滲透率將從2008年0.3%，提升至2009年的2.8%。預估2011年LED 監視器滲透率將上漲21.6%，2011年LED 監視器滲透率將上降21.6%。而到了2012年，當LED 發光效率達130 lm/W，且LED成本每千流明為5美元時，LED照明將更大量被采用。
2009-12-18
LED 照明 TV NB
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