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利用先進(jìn)形式驗(yàn)證工具來(lái)高效完成RISC－V處理器驗(yàn)證
RISC-V的開(kāi)放性允許定制和擴(kuò)展基于RISC-V內(nèi)核的架構(gòu)和微架構(gòu)，以滿足特定需求。這種對(duì)設(shè)計(jì)自由的渴望也正在將驗(yàn)證部分的職責(zé)轉(zhuǎn)移到不斷壯大的開(kāi)發(fā)人員社群。然而，隨著越來(lái)越多的企業(yè)和開(kāi)發(fā)人員轉(zhuǎn)型RISC-V，大家才發(fā)現(xiàn)處理器驗(yàn)證絕非易事。新標(biāo)準(zhǔn)由于其新穎和靈活性而帶來(lái)的新功能會(huì)在無(wú)意中產(chǎn)生規(guī)...
2023-06-16
驗(yàn)證工具 RISC－V處理器 驗(yàn)證
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一文了解 PCB 的有效導(dǎo)熱系數(shù)
什么是 PCB 有效導(dǎo)熱系數(shù)？“有效導(dǎo)熱系數(shù)”代表材料的傳導(dǎo)熱能力。當(dāng)我們談及 PCB 的有效導(dǎo)熱系數(shù)時(shí)，我們談?wù)摰氖?PCB 將器件產(chǎn)生的熱量轉(zhuǎn)移到周圍區(qū)域的能力。有效導(dǎo)熱系數(shù)用 Keff 表示，單位是 W/m-K。
2023-06-16
PCB 有效導(dǎo)熱系數(shù)
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-16
SiC 肖特基二極管
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如何在電壓不穩(wěn)的情況下保障SSD的穩(wěn)定性能？
不穩(wěn)定的電源是遠(yuǎn)程和極端環(huán)境中設(shè)備面臨的常見(jiàn)挑戰(zhàn)，這可能會(huì)嚴(yán)重影響固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）的操作。啟動(dòng)和關(guān)閉過(guò)程中的不穩(wěn)定電源，可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰和系統(tǒng)重啟等問(wèn)題。
2023-06-16
電壓 SSD 穩(wěn)定性能
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使用 M5Stack 內(nèi)核控制基于電位器的伺服電機(jī)
M5Stack是一個(gè)模塊化、可堆疊和可編程的開(kāi)發(fā)模塊，專為快速輕松地構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)項(xiàng)目和創(chuàng)建原型而設(shè)計(jì)。該模塊基于ESP32 微控制器，帶有各種傳感器、輸入、輸出和彩色液晶顯示器 (LCD)。此外，M5Stack 內(nèi)核采用矩形模塊封裝，尺寸為 54 x 54 x 18 mm，并配有 2 英寸薄膜晶體管 (TFT) LCD。
2023-06-16
M5Stack 內(nèi)核控制 電位器 伺服電機(jī)
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自加熱Vbe 晶體管恒溫器無(wú)需校準(zhǔn)
一種明顯的替代方法是使用晶體管 Vbe tempco 進(jìn)行溫度自檢測(cè)，由于其明顯的簡(jiǎn)單性而很有吸引力，但在實(shí)踐中，它的實(shí)用性受到不可預(yù)測(cè)的晶體管 Vbe 可變性的限制。在參考文獻(xiàn) 1 中，的模擬大師 Jim Williams 解釋了這個(gè)問(wèn)題如何需要初始傳感器晶體管校準(zhǔn)（如果傳感器需要更換，則需要重新校準(zhǔn)）。
2023-06-16
自加熱Vbe 晶體管恒溫器
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使用基于Raspberry Pi的DDS信號(hào)發(fā)生器實(shí)現(xiàn)精確RF測(cè)試
在涉及射頻(RF)的硬件測(cè)試中，選擇可配置、已校準(zhǔn)的可靠信號(hào)源是其中最重要的方面之一。本文提供了基于Raspberry Pi的高度集成解決方案，其可用于合成RF信號(hào)發(fā)生器，輸出DC至5.5 GHz的單一頻率信號(hào)，輸出功率范圍為0 dBm至-40 dBm。所提出的系統(tǒng)基于直接數(shù)字頻率合成(DDS)架構(gòu)，并對(duì)其輸出功率與頻...
2023-06-16
Raspberry Pi 信號(hào)發(fā)生器 RF
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