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確保電路穩定：肖特基二極管選型與替換要點
在現代電子電路設計中，肖特基二極管憑借其卓越的低正向壓降和極速開關特性，已成為功率電源、頻率轉換器及電路保護等關鍵領域的核心元件。然而，面對供應鏈波動導致的型號缺貨或產品迭代帶來的設計更新需求，工程師往往需要進行器件替換。這一過程并非簡單的“即插即用”，尤其是當涉及不同封裝形式的互換時，更充滿了挑戰。封裝不僅是器件的物理外殼，更直接決定了其功率承載能力、散熱效率及高頻寄生參數。因此，深入理解肖特基二極管的多樣化封裝特性，并系統評估在替換過程中電氣參數匹配、尺寸兼容性、熱管理以及可靠性等多維度的影響，對于確保電路在變更后的穩定運行至關重要。
2026-02-26
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拒絕反饋失真：如何正確設置光耦合器偏置以消除電源不穩定
在隔離型開關電源（SMPS）的設計中，光耦合器作為連接次級側電壓檢測與初級側PWM控制器的關鍵橋梁，其性能直接決定了電源系統的穩定性與調節精度。然而，許多設計往往忽視了“光耦合器偏置”這一核心概念，誤以為僅需點亮LED即可。事實上，光耦合器偏置是一項精密的模擬鏈路調校過程，旨在通過設定正確的LED正向電流及光電晶體管的工作電壓，確保器件始終在線性區域內運行。若偏置不當，不僅會導致反饋信號失真、電壓調節失效，還可能因熱應力和老化加速而縮短系統壽命。本文將深入探討光耦合器偏置的原理，分析電流傳輸比（CTR）、溫度漂移及補償網絡設計對反饋環路的影響。
2026-02-24
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光耦電路在開關電源中的選型與設計策略
開關電源作為電能轉換的核心設備，已廣泛應用于從消費電子到工業設備的各個領域。隨著對電源效率、安全性和穩定性要求的不斷提高，反饋控制機制成為開關電源設計中的關鍵環節。光耦合器作為實現電氣隔離反饋的核心組件，憑借其獨特的光電轉換特性和優異的隔離性能，在經典開關電源電路中扮演著不可或缺的角色。它不僅能夠有效隔離高壓電路與控制電路，確保系統安全運行，還能實現快速精準的電壓反饋調節，保障輸出電壓的穩定性。
2026-02-17
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從穩定性到效率：光耦CTR在反饋式電源系統中的綜合影響
在現代電子設計領域，光耦合器作為實現電氣隔離的關鍵組件，其作用不可忽視。通過將輸入與輸出電路隔離開來，光耦合器不僅保護了電路的安全運行，還為信號傳輸提供了有效的途徑。其中，電流傳輸比（CTR）作為衡量光耦合器性能的重要指標之一，直接關系到信號傳輸的效率和質量。隨著開關電源設計對穩定性和效率要求的不斷提高，如何優化光耦合器的CTR值成為了一個重要的研究方向。本文將深入探討光耦合器的基本原理、CTR對其反饋式開關電源設計的影響，并提出相應的優化策略，以及展望未來光耦合器CTR的發展趨勢。
2026-02-12
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新型控制環路架構：電源穩壓器的超低噪聲解決方案
電源轉換器通過控制環路維持輸出電壓穩定，電阻分壓器搭配內部基準電壓的調節方式長期為行業標準。但傳統架構存在局限，最小輸出電壓受基準電壓限制、無法實現0V輸出，且噪聲與輸出電壓相關。為此，采用單位增益設計的創新控制環路架構應運而生，可實現超低噪聲輸出，兼容線性與開關穩壓器，支持0V超低輸出，為電源轉換技術帶來突破。本文將結合器件案例，介紹其原理、優勢并對比傳統架構不足。
2026-02-09
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智能GaN降壓控制器設計——第1部分：考慮因素和測量方法
同步轉換器的工作原理是交替切換控制開關和同步開關器件（通常是FET）的通斷狀態。時序的微小偏差，在納秒尺度上便會引發兩難困境：若兩個開關管導通切換的間隙（死區時間）過長，系統效率會因GaN器件特有的高反向導通壓損而大幅下降；若此間隙過短，則可能發生致命的“直通”現象，導致電流直沖、器件瞬間過熱損毀。因此，突破傳統固定死區時間的局限，通過智能、自適應的控制策略與精準的測量手段來動態優化這一刻度，已成為釋放GaN全部潛能、革新下一代高密度電源設計的決勝關鍵。本文是關于智能GaN降壓控制器設計的兩篇文章中的第一篇，討論了所涉及的動態特性及其正確測量方法。
2026-01-28
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線性穩壓器的電壓輸入至輸出控制——第一部分：快速入門和優勢
在復雜的電子系統設計中，電源管理單元的效能與可靠性直接決定了整體性能的邊界。其中，實現從輸入電壓到輸出電壓的精準、高效與穩定控制，是工程師面臨的核心挑戰之一。本文將聚焦于一種先進的解決方案——電壓輸入至輸出控制（VIOC）系統。該系統巧妙融合了具備VIOC特性的低壓差線性穩壓器（LDO）與開關穩壓器，不僅能夠顯著優化功耗、抑制噪聲，還能在動態與故障條件下為系統提供堅實保護。本系列文章的第一部分，將為您快速解析VIOC系統的架構優勢，并提供具體的器件選型與設計實施指南，為構建更穩健、高效的電源鏈路奠定基礎。
2026-01-28
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智能GaN降壓控制器設計——第2部分：配置和優化
在高效能電源設計中，死區時間的精準控制是平衡效率與可靠性的關鍵。傳統方案依賴固定的控制器延遲或繁瑣的外部調整，不僅調試耗時，更難以適配不同GaN FET的動態特性，潛藏著過驅損壞的風險。本文將深入智能GaN降壓控制器設計的核心環節，聚焦于其先進的配置與優化策略。通過闡述如何精確測量并協同優化導通/關斷擺率與延遲，我們旨在幫助工程師突破傳統局限，在提升系統功率密度的同時，最大化能效并堅固開關元件的安全邊界。
2026-01-28
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VIOC技術：LDO性能優化與電源管理協同的核心路徑
本文作為電壓輸入至輸出控制（VIOC）應用于低壓差穩壓器（LDO）系列文章的第二部分，在第一部分基礎概念之上，深入剖析VIOC系統設計邏輯，詳解新一代LDO憑借恒定輸入輸出電壓差所實現的高電源電壓抑制比（PSRR）、優化功耗及可靠故障保護等核心性能優勢；同時依托LTspice?仿真、演示硬件等參考設計與評估方法，降低VIOC技術的應用門檻，還進一步探討其在負電壓拓撲中的集成路徑，并梳理早期基于分立元件、傳統LDO架構的實現方案，揭示VIOC在優化開關穩壓器與LDO協同工作、賦能現代電源管理系統多樣化方案開發中的關鍵價值。
2026-01-27
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VIOC功能賦能LDO：低噪聲電源管理系統的設計與優勢
在電源管理領域，低壓差（LDO）穩壓器是保障電子元器件高性能供電的關鍵，其低噪聲特性對精密模擬電路、RF系統及醫療設備等噪聲敏感場景至關重要，可提供純凈電源、降低干擾、強化信號完整性。LDO與電壓輸入至輸出控制（VIOC）功能及兼容開關穩壓器配合，能構建維持最佳輸入輸出電壓差的系統，顯著降噪、實現高PSRR，同時保障系統高效、穩定且性能強勁。本文深入探討VIOC的實現細節、優勢與應用，從基礎關聯、電路構建、器件選型，到性能對比與故障防護，拆解三者協同機制，為工程師優化電源管理方案提供專業參考。
2026-01-23
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單芯片干翻傳統方案！兩相升壓轉換器如何將低壓大功率密度拉滿？
在電子設備領域，單芯片升壓轉換器扮演著重要角色，它能將低輸入電壓轉換為高輸出電壓，且整體方案尺寸緊湊。然而，當面臨輸出功率需求增加的情況時，電流水平和散熱需求也會大幅上升。受內部開關限制，傳統單芯片升壓轉換器往往難以滿足這些需求。在此背景下，兩相升壓轉換器應運而生，成為解決這一難題的更優方案。
2026-01-23
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LTC7891 驅動 GaN 器件：死區時間優化與過沖測量關鍵技術
電源轉換領域用上氮化鎵（GaN）器件后，能實現更高能量密度和更快開關速度，但GaN FET沒有體二極管，且柵極電壓限制嚴苛，死區時間的設置成了老大難問題。死區時間太短會引發“直通”，直接損壞器件；太長又會讓反向導通損耗飆升，拉低效率。本文以15V-36V輸入、12V/15A輸出的LTC7891降壓轉換器為例，解析其開關邏輯，分析死區時間對器件性能壽命的影響，分享含探頭選擇、布局優化的測量技巧，助力平衡效率與器件安全。
2026-01-21
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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