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用于智能手機充電器的新款45V整流器，現(xiàn)已量產(chǎn)
Vishay發(fā)布采用SlimSMA封裝的新款45V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器，高電流密度的器件具有5A正向電流和低至0.37V的VF。可在智能手機充電器等空間受限應用的極性保護中減少功率損耗，并提高效率。
2012-12-07
整流器 智能手機 Vishay
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什么使得MOSFET性能大打折扣
雖然MOSFET的芯片和封裝不斷改進，但是它們是否能有效的應用于電源產(chǎn)品依然面臨著不小的挑戰(zhàn)。除了器件結(jié)構(gòu)和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個周圍相關(guān)因素的影響：如封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生效應和開關(guān)速度等。
2012-12-07
MOSFET 芯片 封裝 PCB
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如何讓智能手機電池同時滿足大容量、體積小、重量輕？
以智能手機、平板電腦為代表的便攜式電子設備正以顯著的速度發(fā)展著。便攜式電子設備的多功能化、高性能化及其便利性使我們使用的機會增加，也增加了使用時間。同時，高性能化也增加了電力的消耗。但是如果電池被大容量化，就會占據(jù)很大的體積和重量。因此，便攜式電子設備中使用的電池要求具備大容...
2012-12-06
智能手機 電池 電氣雙層電容
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肖特基二極管的應用分析
本文主要講解的是肖特基二極管在電源管理方面的應用分析。一般電路都會用到非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器，而它要用到一個續(xù)流的二極管，通常選用的是正向電壓的肖特基管。本文探討如何正確的選擇二極管在電源管理應用中的參數(shù)，和如何用這些參數(shù)快速選型。
2012-12-06
電源管理 肖特基二極管
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村田開發(fā)出直流無線供電技術(shù)，高達70％以上電力傳輸效率
村田制作所開發(fā)出了可大幅提高整個系統(tǒng)電力傳輸效率（以下稱電力效率）的無線供電技術(shù)。由直流電源經(jīng)無線區(qū)間到達負載的電力效率比原來的技術(shù)提高了20～30個百分點。例如，從直流電源將功率約為75W的直流電供應到幾十厘米遠的負載時，最高能以70％以上的電力效率傳輸。
2012-12-06
村田 無線供電 傳輸效率
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峰值效率高達95%且是同類產(chǎn)品最高的開關(guān)穩(wěn)壓器
ADI推出同類產(chǎn)品中效率最高的開關(guān)穩(wěn)壓器，采用緊湊型4 mm x 4 mm 24引腳LFCSP封裝，可在-40攝氏度至+125攝氏度結(jié)溫范圍內(nèi)工作，效率配置針對低占空比操作進行了優(yōu)化，峰值效率高達95%。
2012-12-06
開關(guān)穩(wěn)壓器 ADI 效率
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可取代效能較低器件同時節(jié)省數(shù)量的功率MOSFET系列
IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列，適合要求超低導通電阻的工業(yè)應用。新器件除了具備超低的導通電阻，其高電流額定值更有助于提升系統(tǒng)的可靠性。若用其取代效能較低的器件，更可節(jié)省器件數(shù)量。
2012-12-05
mosfet IR 導通電阻
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導通電阻比競爭對手低20%的40V N溝道MOSFET
飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET,在動力轉(zhuǎn)向應用中的功率控制更強、效率更高，該器件具有最低的導通電阻和較低的柵極電荷，可降低功耗，因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應用。
2012-12-05
mosfet 飛兆 導通電阻
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如何使SIMPLE SWITCHE 電源模塊性能達到最優(yōu)化
雖然新一代的電源模塊，以及通常與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器有關(guān)的印刷電路板(PCB)布局提供了一種替代方案，但是如何將電感器和單片同步穩(wěn)壓器集成在一個電源組中的電源模塊上，能有最大的最好的效果，仍然有很多設計工作。這里介紹的是如何合理的布局PCB害優(yōu)化電源模塊性能的方法。
2012-12-04
電源模塊 最優(yōu)化 PCB
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