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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
晶閘管 參數解析 開關特性
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新興汽車開關應用
自動駕駛汽車人工智能的發展正逐漸改變人們的駕乘體驗。全自動駕駛車輛將為汽車駕駛艙帶來徹底的變革。實際上，我們已經看到具備半自動駕駛功能的汽車的出現。功能性和舒適性是推動汽車內部變化的主要因素。考慮到車輛內的功能越來越多，對于聯系駕駛員和駕駛艙新環境之間的用戶界面，設計師和工程...
2021-09-08
汽車開關 應用
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貿澤聯手安森美推出全新資源平臺，分享BLDC電機控制新品與技術見解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節能創新的半導體解決方案知名供應商安森美(onsemi)合作，創建了一個全新內容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產品和技術見解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護設備領域處于...
2021-09-07
貿澤 安森美 BLDC電機控制
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在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化
比較SiC開關的數據資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數較低，SiC MOSFET似乎占據了優勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導通電阻 溫度變化
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負壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉換效率的關鍵因素就在于開關電源中的功率部分。
2021-09-07
負壓脈 5G通信 電源效率
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開關電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡稱PD）現象，通常主要指的是高壓電氣設備絕緣層在足夠強的電場作用下局部范圍內發生的放電，某個區域的電場強度一旦達到其介質擊穿場強時，該區域就會出現放電現象。這種放電以僅造成導體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導電通道為限。每一次局部放電對絕緣介質都...
2021-09-07
開關電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
MOSFET 炸機 開關電源
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新能源汽車驅動電機結構與工作原理
驅動電機是電動汽車驅動系統的核心部件，是車輛行駛的主要執行機構，其特性決定了車輛的主要性能指標，直接影響車輛動力性、經濟性和舒適性。它是把電能轉換為機械能的一種設備，它利用勵磁線圈，產生旋轉磁場形成磁電動力旋轉力矩。導線在磁場中受力的作用，使電機輸出轉矩。
2021-09-07
新能源汽車 驅動電機 工作原理
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X-FAB與派恩杰達成長期戰略合作，共同推動全球SiC產業發展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。
2021-09-06
X-FAB SiC功率器件 派恩杰
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