【導(dǎo)讀】在半導(dǎo)體測(cè)試、納米科技及高精度絕緣分析等多種領(lǐng)域，對(duì)pA級(jí)乃至更微弱電流的精確測(cè)量已成為評(píng)估器件性能與可靠性的關(guān)鍵。然而，超低電流測(cè)量極易受到環(huán)境干擾、儀器噪聲及測(cè)量方法本身的顯著影響。本文將系統(tǒng)解析測(cè)量中的主要誤差來(lái)源，并基于行業(yè)實(shí)踐，為工程師提供一套可操作的高精度測(cè)量指導(dǎo)方案。
在半導(dǎo)體測(cè)試、納米科技及高精度絕緣分析等多種領(lǐng)域，對(duì)pA級(jí)乃至更微弱電流的精確測(cè)量已成為評(píng)估器件性能與可靠性的關(guān)鍵。然而，超低電流測(cè)量極易受到環(huán)境干擾、儀器噪聲及測(cè)量方法本身的顯著影響。本文將系統(tǒng)解析測(cè)量中的主要誤差來(lái)源，并基于行業(yè)實(shí)踐，為工程師提供一套可操作的高精度測(cè)量指導(dǎo)方案。
4200A-SCS參數(shù)分析儀配置4200-PA遠(yuǎn)程前置放大器時(shí)， 具有最小10aA分辨率（10-16）的特殊低電流測(cè)量能力。小電流的成功測(cè)量不僅取決于使用像4200A-SCS這樣非常靈敏的電流表，還取決于在系統(tǒng)的Clarius軟件中選擇適當(dāng)?shù)脑O(shè)置，使用低噪聲夾具和測(cè)試電纜，允許足夠的積分時(shí)間，并使用相關(guān)技術(shù)來(lái)防止影響精度的不必要電流。本文給出了Keithley最著名的測(cè)試方法建議，用于優(yōu)化使用4200A-SCS進(jìn)行低電流測(cè)量。
測(cè)量系統(tǒng)的偏置電流
建立超低電流測(cè)量系統(tǒng)的第一步是確定整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)的偏置和漏電流，包括4200A-SCS本身、連接電纜、開(kāi)關(guān)矩陣、測(cè)試夾具和探頭。這確定了整個(gè)系統(tǒng)的噪聲下限，并設(shè)置了一個(gè)起點(diǎn)，以便在可能的情況下對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行改進(jìn)。首先測(cè)量源測(cè)量單元（SMU）的偏移量，然后繼續(xù)添加測(cè)量電路中的組件，直到除被測(cè)（DUT）外所有組件都連接上。測(cè)量直接使用Clarius軟件控制4200-SMU與4200-PA遠(yuǎn)程前置放大器來(lái)完成。
內(nèi)部偏置
理想的電流表在輸入端子為開(kāi)路的情況下，回讀電流大小應(yīng)為零。然而，現(xiàn)實(shí)情況中電流表在輸入端開(kāi)路時(shí)確實(shí)有一些小電流流過(guò)。這種電流被稱為輸入偏置電流，是由有源器件的偏置電流和通過(guò)儀器內(nèi)部絕緣體的漏電流產(chǎn)生的。SMU內(nèi)產(chǎn)生的偏置電流可以參考4200-SMU的技術(shù)規(guī)格。如圖1所示，輸入偏置電流加到被測(cè)電流上，因此儀表測(cè)量值為兩個(gè)電流之和：IMEASURE = ISOURCE + IOFFSET
圖1. SMU的輸入偏置電流
測(cè)量帶有4200-PA前置放大器的每個(gè)4200-SMU的偏置時(shí)，除了金屬帽外，F(xiàn)orce HI和Sense HI端子沒(méi)有任何連接。這些金屬帽包含在系統(tǒng)備件中。在進(jìn)行任何測(cè)量之前，應(yīng)將前置放大器連接到SMU上，并前置放大器的Force HI和Sense HI端子接上金屬帽，對(duì)SMU預(yù)熱至少一小時(shí)。偏置電流可以使用“Low Current Project”項(xiàng)目來(lái)測(cè)量，該項(xiàng)目可以在項(xiàng)目庫(kù)的選擇視圖中找到，或直接搜索“Low Current”獲取。圖2顯示了Clarius軟件應(yīng)用程序中的這個(gè)項(xiàng)目。
圖2. Low Current Project在Clarius應(yīng)用中
打開(kāi)這個(gè)項(xiàng)目，選擇SMU1offset測(cè)試項(xiàng)，測(cè)量SMU1的偏置電流。選擇Analyze，然后運(yùn)行測(cè)試。結(jié)果應(yīng)該類似于圖3所示的圖形。可能需要使用自動(dòng)縮放功能來(lái)適當(dāng)?shù)乜s放曲線。右鍵單擊圖形可以找到自動(dòng)縮放功能。當(dāng)4200-PA前置放大器連接到SMU時(shí)，偏置電流應(yīng)該在fA量級(jí)內(nèi)。偏置電流可以是正的，也可以是負(fù)的。可用SMU標(biāo)的的電流表規(guī)格來(lái)驗(yàn)證這些結(jié)果。應(yīng)該重復(fù)此操作對(duì)系統(tǒng)中的每個(gè)SMU進(jìn)行單獨(dú)的測(cè)量。Low Current Project會(huì)對(duì)四個(gè)帶前置放大器的 SMU進(jìn)行偏置電流測(cè)量的測(cè)試。
圖3. SMU1的偏置電流測(cè)量
輸入偏移電流規(guī)格可以通過(guò)在Clarius中執(zhí)行自動(dòng)校準(zhǔn)程序來(lái)進(jìn)行優(yōu)化。執(zhí)行SMU自動(dòng)校準(zhǔn)，請(qǐng)?jiān)凇癟ools”菜單中選擇“SMU auto calibration”。在執(zhí)行自動(dòng)校準(zhǔn)之前，至少需要開(kāi)機(jī)預(yù)熱60分鐘。除了金屬帽外，SMU的force HI和sense HI端子上不應(yīng)連接任何東西。自動(dòng)校準(zhǔn)程序調(diào)整系統(tǒng)中所有SMU的所有源和測(cè)量功能中的電流和電壓偏置。這里不要與全系統(tǒng)校準(zhǔn)相混淆，應(yīng)每年在授權(quán)的機(jī)構(gòu)完成一次對(duì)4200A-SCS 的全系統(tǒng)校準(zhǔn)。一旦執(zhí)行了SMU自動(dòng)校準(zhǔn)，就可以對(duì)偏移電流進(jìn)行重復(fù)測(cè)量。
外部偏置
一旦電流表的偏置已經(jīng)確定，在添加測(cè)試電路的每一個(gè)環(huán)節(jié)后，通過(guò)重復(fù)電流（加載0V）對(duì)時(shí)間的圖來(lái)驗(yàn)證系統(tǒng)其余部分的偏置。每次重復(fù)測(cè)試時(shí)，之前的運(yùn)行都保存在歷史運(yùn)行面板中。最后，對(duì)處于“UP”位置的探頭末端或?qū)ξ催B接設(shè)備的測(cè)試夾具進(jìn)行測(cè)量。這一過(guò)程將有助于確定故障點(diǎn)，如電纜短路或測(cè)量電路的不穩(wěn)定。但是，要注意連接和斷開(kāi)電纜時(shí)會(huì)在電路中產(chǎn)生電流。對(duì)于進(jìn)行超低電流測(cè)量，在改變測(cè)試電路中的連接后，可能需要等待幾分鐘到幾小時(shí)使寄生電流衰減。圖4顯示了1）僅接入force HI端子的SMU 的偏移量；2）前置放大器上僅帶三軸電纜；3）通過(guò)Keithley 7174A低電流開(kāi)關(guān)矩陣到探針臺(tái)上處于“UP”位置的探頭。
圖4. 整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的偏置電流測(cè)量
在生成電流-時(shí)間圖時(shí)，通過(guò)施加測(cè)試電壓來(lái)重復(fù)此測(cè)試，以確定測(cè)量電路中的任何泄漏電路。相較施加零伏偏置，使用測(cè)試電壓加載到DUT上進(jìn)行實(shí)際測(cè)量。現(xiàn)在測(cè)試夾具和電纜中的任何泄漏電流將被檢測(cè)到并體現(xiàn)在圖表中。如果泄漏電流看起來(lái)過(guò)高，可以對(duì)測(cè)量電路進(jìn)行調(diào)整，以減少泄漏電流。參考標(biāo)題為“泄漏電流和 Guard”的章節(jié)，其中描述了減少泄漏電流的方法。
測(cè)量誤差的來(lái)源和減少測(cè)量誤差的方法
一旦確定了電流偏移、泄漏電流和任何不穩(wěn)定性，采取措施減少測(cè)量誤差將有助于提高測(cè)量精度。這些誤差來(lái)源包括穩(wěn)定時(shí)間不足、靜電影響、泄漏電流、摩擦起電效應(yīng)、壓電效應(yīng)、污染、濕度、接地回路、光線和源內(nèi)阻。圖5總結(jié)了本節(jié)討論的一些產(chǎn)生電流的量級(jí)。
圖5. 產(chǎn)生電流的典型幅度
穩(wěn)定時(shí)間和時(shí)間菜單設(shè)置
在進(jìn)行小電流和高電阻測(cè)量時(shí)，測(cè)量電路的穩(wěn)定時(shí)間特別重要。穩(wěn)定時(shí)間是開(kāi)啟測(cè)量時(shí)在施加或改變電流或電壓后達(dá)到穩(wěn)定所需的時(shí)間。影響測(cè)量電路穩(wěn)定時(shí)間的因素包括并聯(lián)電容（CSHUNT）和源電阻(RS)。并聯(lián)電容是由連接的電纜、測(cè)試夾具、開(kāi)關(guān)和探頭造成的。DUT的內(nèi)阻越高，穩(wěn)定時(shí)間越長(zhǎng)。并聯(lián)電容和內(nèi)阻如圖6中的測(cè)量電路所示。
圖6. SMU測(cè)量電路包括CSHUNT和RS
因此，需要5τ 或50秒的穩(wěn)定時(shí)間，將讀數(shù)波動(dòng)穩(wěn)定到最終值的1%以內(nèi)！圖7顯示了進(jìn)入RC電路的階躍電壓的指數(shù)響應(yīng)。經(jīng)過(guò)一個(gè)時(shí)間常數(shù)（τ =RC）后，電壓上升到最終值的63%以上。
圖7. RC電路對(duì)階躍電壓的指數(shù)響應(yīng)
要成功地進(jìn)行低電流測(cè)量，為每次測(cè)量添加足夠的時(shí)間是非常重要的，特別是掃描電壓時(shí)。可以在 Sweep Mode的sweep delay字段或sampling Mode的interval time字段的test setting菜單中進(jìn)行設(shè)置。為了驗(yàn)證要增加多少間隔時(shí)間，可以通過(guò)繪制電流與時(shí)間到階躍電壓的關(guān)系來(lái)測(cè)量 DUT的穩(wěn)定時(shí)間。步進(jìn)電壓應(yīng)該是DUT實(shí)際測(cè)量中使用的偏置電壓。在Low Current Project測(cè)試項(xiàng)中可以用來(lái)進(jìn)行穩(wěn)定時(shí)間的測(cè)量。
測(cè)試設(shè)置菜單中的采樣點(diǎn)數(shù)可能需要增加，以確保穩(wěn)定讀數(shù)將顯示在圖形上。在進(jìn)行低電流測(cè)量時(shí)，使用Quite Speed Mode或添加額外的濾波。需要注意的是，有一個(gè)去除噪聲和測(cè)試速度的權(quán)衡。濾波和延遲越多，噪聲就會(huì)越少，但測(cè)量速度就會(huì)越慢。
靜電干擾和屏蔽
當(dāng)帶電物體接近被測(cè)電路時(shí)，就會(huì)發(fā)生靜電耦合或干擾。在低阻抗水平下，干擾的影響并不明顯，因?yàn)殡姾蓵?huì)迅速消散。然而，高電阻材料不允許電荷快速衰減，這可能導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果的不穩(wěn)定、有較大的噪聲。通常，當(dāng)電流測(cè)量≤1nA或電阻測(cè)量≥1GΩ時(shí)，靜電干擾是測(cè)量中必須考慮的一個(gè)問(wèn)題。
為了減少電場(chǎng)的影響，可以將被測(cè)量的電路封閉在靜電屏蔽殼體中。圖8說(shuō)明了100GΩ電阻器的非屏蔽和屏蔽測(cè)量之間的巨大差異。未屏蔽的測(cè)量比屏蔽的測(cè)量噪聲大得多。
圖8. 100GΩ電阻器上的屏蔽與非屏蔽測(cè)量
屏蔽可以只是一個(gè)簡(jiǎn)單的金屬盒或網(wǎng)格罩，包裹測(cè)試電路。商用探針臺(tái)通常將敏感電路封閉在靜電屏蔽內(nèi)。屏蔽連接到測(cè)量電路LO端，不一定接地。在4200-SMU的情況下，屏蔽連接到如圖9所示的 Force LO端子。
圖9. 屏蔽裝置高阻抗測(cè)試
最小化由于靜電耦合而產(chǎn)生的誤差電流 :
屏蔽DUT并將外殼和測(cè)試電路的公共端，4200A-SCS的Force LO端子短接
所有帶電物體（包括人）和導(dǎo)體遠(yuǎn)離測(cè)試電路的敏感區(qū)域
避免在測(cè)試區(qū)域附近移動(dòng)和發(fā)生振動(dòng)
泄漏電流和Guard
泄漏電流是當(dāng)施加電壓時(shí)流經(jīng)絕緣電阻或從中泄漏的錯(cuò)誤電流。當(dāng)DUT的阻抗與測(cè)試電路中絕緣體的阻抗相當(dāng)時(shí)，這種錯(cuò)誤電流就成為一個(gè)問(wèn)題。為了減少泄漏電流，需要在測(cè)試電路中使用質(zhì)量好的絕緣材料，降低測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的濕度，并使用保護(hù)技術(shù)。
Guard是一個(gè)由低阻抗源驅(qū)動(dòng)的導(dǎo)體，其輸出與高阻抗終端處于或接近相同的電位。Guard端子用于保護(hù)測(cè)試夾具和電纜的絕緣電阻和電容。Guard端子是圖10所示的三軸連接器/電纜的內(nèi)部屏蔽。
圖10. 4200A三同軸接口、線纜定義
Guard不應(yīng)與屏蔽混淆。屏蔽通常意味著使用金屬外殼來(lái)防止靜電干擾影響高阻抗測(cè)試電路。Guard意味著使用一個(gè)附加的低阻抗導(dǎo)體，與高阻抗電路保持相同的電位，它將攔截任何干擾電壓或電流。Guard并不一定提供屏蔽。下面的段落概述了兩個(gè)Guard的例子：1）使用Guard來(lái)減少由于測(cè)試夾具造成的泄漏，2）使用 Guard 來(lái)減少由于布線造成的泄漏電流。
圖11顯示了Guard如何消除可能流過(guò)測(cè)試夾具中隔離絕緣材料的泄漏電流。在圖11a中，泄漏電流(IL)流過(guò)隔離絕緣材料(RL)。該泄漏電流加到DUT(IDUT)的電流中，由SMU電流表(IM)測(cè)量，對(duì)低電流測(cè)量的精度產(chǎn)生不利影響。
圖11. 使用Guard以減少測(cè)試夾具的泄漏
圖11b中，金屬掛板連接到SMU的Guard端子上。絕緣固定支架的頂部和底部的電壓幾乎處于相同的電位(0V降)，因此不會(huì)有泄漏電流流過(guò)隔板影響測(cè)量精度。出于安全目的，金屬屏蔽必須連接到接地點(diǎn)，因?yàn)榈撞康慕饘侔惭b板將在Guard電位。
Guard也可用于減少布線中的泄漏電流。圖12說(shuō)明了驅(qū)動(dòng)保護(hù)如何防止電纜的泄漏電阻降低低電流測(cè)量的性能。在無(wú)保護(hù)配置中，同軸電纜的泄漏電阻與DUT(RDUT)平行，產(chǎn)生不需要的泄漏電流(IL)。這種泄漏電流會(huì)削弱微弱電流測(cè)量。
在保護(hù)電路中，三軸電纜的內(nèi)屏蔽連接到SMU的Guard端子上。現(xiàn)在這個(gè)屏蔽由一個(gè)增益單位、低阻放大器(Guard)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)。ForceHl端子和Guard 端子之間的電位差接近0V，因此消除了泄漏電流(lL)。
圖12. 使用Guard減少電纜中的漏電流
對(duì)比使用三軸電纜和同軸電纜進(jìn)行高阻測(cè)量時(shí)的結(jié)果，圖13顯示了加載10V階躍電壓到100GΩ電阻，電流 vs.時(shí)間的測(cè)試結(jié)果。三同軸電纜啟用Guard，從兩個(gè)方面改進(jìn)測(cè)量：1）它降低了有效的電纜電容從而降低了RC時(shí)間常數(shù)或測(cè)量的穩(wěn)定時(shí)間，2）它防止電纜的泄漏電阻提升了測(cè)量精度。
圖13. 使用同軸電纜和三軸電纜測(cè)量高阻的結(jié)果對(duì)照
從圖13的圖表中可以看到，使用帶保護(hù)的三軸電纜可以在測(cè)量電流具有更低的泄漏電流（小幾PA）和更快的穩(wěn)定時(shí)間（大約快十倍）。
如果SMU必須連接到帶有BNC連接器的測(cè)試夾具，則使用Keithley三軸電纜連接SMU和測(cè)試夾具，然后使用三同軸轉(zhuǎn)BNC的適配器（去除Guard）將電纜連接到測(cè)試夾具。
SMU連接到DUT
除了在連接DUT時(shí)使用屏蔽和Guard外，4200A-SCS與設(shè)備的接入位置也是非常重要的。SMU Force Hl和Force Lo端子連接不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致電流偏移，測(cè)量結(jié)果不穩(wěn)定。這些誤差是由共模電流引起的。
一般情況下，始終將SMU的高阻端子（Force HI）連接到被測(cè)電路的最高電阻點(diǎn)上。同樣，始終將4200A-SCS的低阻端子（Force LO）連接到被測(cè)電路的最低電阻點(diǎn)。最低電阻點(diǎn)可以是一個(gè)公共端子或接地點(diǎn)。如果Force HI端子連接到低阻端，那么共模電流可以通過(guò)測(cè)量電路，從而影響測(cè)試結(jié)果。
圖14給出了正確的和不正確的測(cè)量連接。圖14a為正確的連接方式，因?yàn)?200-SMU的Force Hl端子連接在晶圓上的被測(cè)器件的柵極上，F(xiàn)orce LO端子連接在接地卡盤上。晶圓上的柵極端子是最高阻抗點(diǎn)，接地的卡盤是低阻抗點(diǎn)，所以這個(gè)電路是正確連接。注意，共模電流從SMU的Force LO端子流向接地卡盤；但是，電流不會(huì)流過(guò)安培計(jì)，因此不會(huì)影響測(cè)量。
圖14. 使用同軸電纜和三軸電纜測(cè)量高阻的結(jié)果對(duì)照
圖14b顯示了將高阻柵極端子與SMU的Force LO端子連接，接地卡盤和SMU的Force HI端子連接的不恰當(dāng)連接方式。在這種情況下，共模電流將流過(guò)SMU以及DUT。這將導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果的不準(zhǔn)確，甚至無(wú)法穩(wěn)定測(cè)量。
摩擦電效應(yīng)
摩擦電流是由導(dǎo)體和絕緣體之間因摩擦產(chǎn)生電荷而形成的。在這里，自由電子與導(dǎo)體摩擦，產(chǎn)生電荷不平衡，導(dǎo)致電流流動(dòng)。這種噪聲電流可以在幾十nA的范圍內(nèi)。圖15展示了摩擦電流的流動(dòng)情況。
圖15. 摩擦電效應(yīng)產(chǎn)生的偏置電流
與4200A-SCS配套使用的三軸電纜通過(guò)在外層屏蔽下使用石墨浸漬絕緣材料，大大降低了這種影響。石墨供潤(rùn)滑和一個(gè)導(dǎo)電圓筒，以均衡電荷，并將電纜運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的摩擦效應(yīng)產(chǎn)生的電荷降至最低。然而，即使是這種類型的三軸電纜，在受到振動(dòng)、膨脹或收縮時(shí)也會(huì)產(chǎn)生一些噪聲。因此，所有連接都應(yīng)盡可能的短，遠(yuǎn)離溫度變化（這會(huì)產(chǎn)生熱膨脹力），最好用膠帶或軋帶將電纜固定到非振動(dòng)表面，如墻壁、工作臺(tái)或剛性結(jié)構(gòu)上。
還應(yīng)采用其他技術(shù)來(lái)盡量減少移動(dòng)和振動(dòng)問(wèn)題：
移除振動(dòng)源，如電機(jī)、泵和其他機(jī)電設(shè)備，或者使用機(jī)械減震
安全地安裝或固定電子元件、電線和電纜
安裝前置放大器時(shí)，盡可能靠近被測(cè)
壓電和存儲(chǔ)電荷效應(yīng)
當(dāng)某些晶體材料使用絕緣端子和互聯(lián)硬件固定時(shí)，施加機(jī)械應(yīng)力就會(huì)產(chǎn)生壓電電流。在某些塑料中，儲(chǔ)存的電荷使材料表現(xiàn)出類似于壓電材料的特性。圖16所示為帶有壓電絕緣體的端子的一個(gè)例子。
圖16. 壓電效應(yīng)產(chǎn)生的偏置電流
為了使這些影響最小化，需要從絕緣體消除機(jī)械應(yīng)力和使用盡可能小的壓電和儲(chǔ)存電荷的絕緣材料。
污染和濕度影響
高濕度或離子污染可顯著降低測(cè)試夾具的絕緣電阻。高濕度條件下會(huì)發(fā)生冷凝或吸水，而離子污染可能是人體油脂、鹽或焊料助焊劑的結(jié)果。絕緣電阻的降低會(huì)對(duì)高阻抗測(cè)量產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。此外，濕度或濕氣可以與任何污染物結(jié)合，產(chǎn)生電化學(xué)效應(yīng)，從而產(chǎn)生偏置電流。例如，常用的環(huán)氧印刷電路板，當(dāng)蝕刻液、助熔劑或其他污染物未被徹底清洗時(shí)，可在導(dǎo)體之間產(chǎn)生幾nA的電流（見(jiàn)圖17）。
圖17. 離子污染和濕度產(chǎn)生的電流
為了避免污染和濕度的影響，選擇抗水分吸收的絕緣子，并保持濕度在中等水平（理想情況下<50%）。此外，確保測(cè)試系統(tǒng)中的所有組件和測(cè)試夾具保持清潔和無(wú)污染。
地回路
地回路可以產(chǎn)生雜散信號(hào)，可能是直流偏置或AC信號(hào)（通常是工頻或工頻的倍數(shù)）。接地回路是由測(cè)試電路中的多個(gè)接地引起的。接地回路的一個(gè)典型例子是將多個(gè)儀器插入不同儀器架上的電源排。通常，接地點(diǎn)之間存在微小的電位差，這可能會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)大電流，并產(chǎn)生意想不到的電壓下降。
圖18所示的配置顯示了通過(guò)將4200A-SCS信號(hào)公共（Force LO）和DUT LO連接到地而構(gòu)成的接地回路。回路中流過(guò)的大接地電流會(huì)遇到小電阻，要么在導(dǎo)體中，要么在連接點(diǎn)上。這個(gè)小電阻會(huì)導(dǎo)致電壓下降，從而影響性能。
為了防止接地回路，測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)該只在一個(gè)點(diǎn)接地。如果不能拆除DUT接地，則應(yīng)拆除4200A-SCS GNDU公共端子與機(jī)箱接地之間的接地鏈路，如圖19 所示。
圖18. 地回路
圖19. 消除接地回路
結(jié)論
當(dāng)配置可選的4200-PA遠(yuǎn)程前置放大器時(shí)，4200A-SCS參數(shù)分析儀可以精確測(cè)量皮安或更小的電流。要測(cè)量整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)的偏置電流，以確定系統(tǒng)的局限性，因此可以在必要時(shí)進(jìn)行調(diào)整。通過(guò)使用諸如屏蔽、Guard和儀器適當(dāng)接地等技術(shù)，以及在Clarius軟件中選擇適當(dāng)?shù)脑O(shè)置，包括允許足夠的穩(wěn)定時(shí)間，可以減少測(cè)量誤差的來(lái)源。Keithley的《低電平測(cè)量手冊(cè)》提供了關(guān)于最佳低電流測(cè)量技術(shù)的進(jìn)一步原理性描述。
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