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Vishay新款TMBS?整流器，用于商業應用的低外形SMPD封裝
Vishay發布16個新款45V、50V、60V、100V和120V整流器件，針對商業應用的低外形SMPD封裝。器件的低正向壓降減少了功率損耗，且器件非常適合自動配置，可進一步提高效率。
2013-09-09
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最低正向壓降的肖特基整流器問世
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業內首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用于智能手機和平板電腦的充電器。
2013-09-04
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Vishay新款SMD MLCC，針對高頻RF應用
Vishay發布新款SMD MLCC，針對高頻RF應用，提供可靠的性能。該器件具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達1500V，可用于電信、醫療、國防和工業設備。
2013-08-28
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Vishay發布高頻RF應用新款SMD MLCC，Q值超2000
日前，Vishay 宣布推出針對高頻RF應用高功率表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)，新款QUAD HIFREQ系列產品具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達1500V，適用于電信、醫療、國防和工業設備。
2013-08-28
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Vishay推出手勢遙控應用高功率高速紅外發射器
日前，Vishay 宣布推出用于手勢遙控應用的新款高功率高速940nm紅外發射器VSLB9530S。該器件在100mA電流下的發射功率達40mW，在垂直方向和水平方向的半強角分別達到±18°和±36°，采用TELUX封裝，且開關速度很快，時間僅15ns。
2013-08-28
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Vishay發布醫療設備用TANTAMOUNT固鉭片式電容
日前，Vishay宣布推出新系列TANTAMOUNT表面貼裝固鉭模壓片式電容器TM3系列，新款可靠的模塑電容器采用穩固的陽極設計、威布爾分級和Hi-Rel篩選，可在各種家用和醫用非生命支持醫療監護和診斷設備中提供更好的性能和可靠性。
2013-08-22
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Vishay新增12款±35°半靈敏度角新款高速表面貼裝光探測器
Vishay日前宣布推出采用微型鷗翼、倒鷗翼和側視型封裝及寬視角半球形透鏡的新款高速光探測器。對于需要成對發射器-探測器的應用，新增二極管可以匹配Vishay的新款±25°和±28°發射器。其中，VEMD2xx3(SL) PIN光電二極管半靈敏度角為±35°，典型輸出電流為10μA，具有1nA的極低暗電流；VEMT2xx3(SL)光電晶體管的典型輸出電流為2.7mA。
2013-08-12
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Vishay推出高2.1mm的新款10mm標準SMD 7段LED數碼管
Vishay發布高2.1mm的新款10mm標準SMD 7段LED數碼管——VDMx10x0和VDMx10A1系列。該器件采用發光均勻、無污點的數碼管和灰色封裝表面，有紅橙黃綠4種顏色，發光強度達2750μcd，可用于多種應用。
2013-08-07
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Vishay新款TMBS整流器在3A下正向壓降僅0.34V
日前，Vishay宣布推出12款電流等級從6A至20A的新型45V、60V和100V的TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。新的整流器在3A下的正向電壓降只有0.34V，采用表面貼裝TO-252(DPAK)封裝，非常適合商業應用。
2013-08-02
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Vishay發布軍工和航天應用液鉭高能電容器，業界容量最高
Vishay 日前宣布發布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025?，在市場上類似器件當中容量最高，容量為1100μF～72000μF。HE4的制造工藝使其可以承受高應力和惡劣的環境，采用可在軍工和航天應用中提高可靠性和性能的特殊殼體設計。
2013-07-26
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Vishay開發出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導致嚴重EMI的重要原因。Vishay最新開發的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可耐105℃高溫。
2013-07-20
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Vishay新增超高容量液鉭電容器，75V下容量達1000 μF
Vishay日前宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液鉭電容器---T18系列。新型液鉭電容器適用于航空和航天應用，采用D外形尺寸，在75V下的容量高達1000 μF。
2013-07-20
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