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NEC開發(fā)出壽命大幅延長的錳類鋰離子充電電池
NEC宣布開發(fā)出了將錳類鋰離子充電電池的壽命提高至以往兩倍以上的技術(shù)。此次開發(fā)的技術(shù)是在電解液中添加有機(jī)硫化合物，并與以往的錳類正極、碳負(fù)極的電極相組合。
2011-10-24
NEC 鋰離子 充電 電池
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第三講：非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
本文旨在通過對非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表解決方案的介紹，使大家對非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)有一個整體的認(rèn)識。主要介紹非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)工作過程，以及智能卡安全性問題和使用非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)時需要考慮的關(guān)鍵問題等。
2011-10-24
非接觸式 預(yù)付費(fèi) 智能表 系統(tǒng)
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電磁感應(yīng)的傳導(dǎo)干擾和輻射干擾
在開關(guān)電源里面，開關(guān)電源變壓器是最大的磁感應(yīng)器件。開關(guān)電源變壓器在電磁轉(zhuǎn)換過程中，工作效率不可能100%，因此，也會有一部分能量損失，其中的一部分能量損失就是因?yàn)楫a(chǎn)生漏磁，或漏磁通。這些漏磁通穿過其它電路的時候，也會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。本文介紹電磁感應(yīng)產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。
2011-10-21
開關(guān)電源 電磁感應(yīng) 傳導(dǎo)干擾 輻射干擾
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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚...
2011-10-21
Si8802DB Si8805EDB Vishay MOSFET TrenchFET
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未來電動汽車數(shù)量增加將造成電網(wǎng)高負(fù)荷
據(jù)外媒報(bào)道，全球智能電網(wǎng)模式近年來一直引發(fā)了熱議，很多專家得出結(jié)論，現(xiàn)在的電動汽車的規(guī)模已經(jīng)具備足夠能力實(shí)現(xiàn)電力儲存和傳輸。然而目前這一領(lǐng)域仍然面臨著一個巨大的挑戰(zhàn)變壓器。
2011-10-21
電動汽車 電網(wǎng) 插電 智能電網(wǎng)
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TI推出超過300款電源管理參考設(shè)計(jì)的PowerLab
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出PowerLab參考設(shè)計(jì)庫，匯集了業(yè)界經(jīng)過測試的、最廣泛的電源管理參考設(shè)計(jì)。該 PowerLab 參考設(shè)計(jì)庫內(nèi)含300多款電源管理參考設(shè)計(jì)，滿足各種應(yīng)用及電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涞男枨螅缯彰鳌㈦娦拧⒂?jì)算以及消費(fèi)類電子等的隔離及非隔離式設(shè)計(jì)方案。
2011-10-21
電源管理 印制電路板 功率轉(zhuǎn)換 數(shù)字電源
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高頻變壓器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
高頻鏈逆變技術(shù)用高頻變壓器代替?zhèn)鹘y(tǒng)逆變器中笨重的工頻變壓器，大大減小了逆變器的體積和重量。在高頻鏈的硬件電路設(shè)計(jì)中，高頻變壓器是重要的一環(huán)。
2011-10-21
高頻 變壓器 單片 開關(guān)電源
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基于超級電容-鉛酸蓄電池混合儲能的太陽能充電器
文中設(shè)計(jì)了基于超級電容-鉛酸蓄電池混合儲能的太陽能充電器， 采用UC3909 智能管理芯片實(shí)現(xiàn)對鉛酸蓄電池具有溫度補(bǔ)償功能的的四階段充電管理； 并利用超級電容器組及升降壓轉(zhuǎn)換電路實(shí)現(xiàn)弱光充電功能， 優(yōu)化鉛酸蓄電池充放電過程， 提高系統(tǒng)效率及穩(wěn)定性。
2011-10-20
鉛酸蓄電池 太陽能 超級電容 充電器
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開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)
本文分析了晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因， 并結(jié)合開關(guān)電源的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)實(shí)際， 介紹了緩沖回路的應(yīng)用及其它有關(guān)晶體管防護(hù)措施。
2011-10-20
開關(guān)電源 晶體管 二次擊穿 功率晶體管
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