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詳細(xì)解析Sony Pregius? S系列的全局快門CMOS傳感器
相機(jī)的快門決定了每次曝光時(shí),光線被記錄下來(lái)的方式以及時(shí)間。今天菲力爾就來(lái)給大家介紹下Sony Pregius系列全局快門CMOS傳感器是如何提供清晰無(wú)失真的圖像。
2021-05-21
Sony CMOS傳感器
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基于MCU的室外移動(dòng)機(jī)器人組合導(dǎo)航定位系統(tǒng)
對(duì)于在室外環(huán)境工作的移動(dòng)機(jī)器人通常使用慣導(dǎo)/衛(wèi)星組合導(dǎo)航方式。慣性導(dǎo)航系統(tǒng)[1]具有完全自主、抗干擾強(qiáng)、隱蔽能力好和輸出參數(shù)全面等優(yōu)點(diǎn),但它的魯棒性極低,誤差會(huì)不斷隨時(shí)間累積發(fā)散。衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)具有精度高、定位范圍廣和誤差不隨時(shí)間累積等優(yōu)點(diǎn),但其自主性差、易受外界遮擋和干擾、接收機(jī)...
2021-05-21
MCU 室外移動(dòng)機(jī)器人 導(dǎo)航定位系統(tǒng)
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MPS 全集成電源模塊為云計(jì)算助力
近年來(lái),人工智能與大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展速度驚人。5G通信技術(shù)的迅速普及,更是為萬(wàn)物互聯(lián)與智能世界奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。承載云計(jì)算應(yīng)用的各類型數(shù)據(jù)中心與私有服務(wù)器對(duì)于數(shù)據(jù)處理的需求與速度更是到達(dá)了前所未有高度。為了滿足未來(lái)智能世界對(duì)于計(jì)算加速的需求,各大廠商分別推出了基于GPU(圖形處...
2021-05-20
MPS 集成電源模塊 云計(jì)算
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具有超快瞬態(tài)響應(yīng)和低功耗的有源整流控制器,真是讓人愛(ài)不釋手呀!
ISO 16750 或 LV124 等汽車標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,汽車電子控制單元 (ECU)可能面臨一個(gè)具有高達(dá) 6 V p-p(在高達(dá) 30 kHz 頻率下)AC 紋波之疊加的供電電源。用于控制外部 MOSFET 的諸如 LT8672的門極驅(qū)動(dòng)等器件足夠強(qiáng)大,能處理高達(dá) 100 kHz 的紋波頻率,從而最大限度減小了反向電流。圖 1 所示為這種 AC 紋波整...
2021-05-20
供電電源 有源整流控制器
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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。
2021-05-20
SiC功率器件 SiC SBD
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鋰電池充電電路設(shè)計(jì)
通常為了提高電池充電時(shí)的可靠性和穩(wěn)定性,我們會(huì)用電源管理芯片來(lái)控制電池充電的電壓與電流,但是在使用電源管理芯片設(shè)計(jì)充電電路時(shí),我們往往對(duì)充電電路每個(gè)時(shí)間段的工作狀態(tài)及電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)存在一些困惑。
2021-05-20
鋰電池 電路設(shè)計(jì)
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新一代內(nèi)存DDR5帶來(lái)了哪些改變?
從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng),同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求,DDR5之類的技術(shù)變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲(chǔ)、傳送和處理這些數(shù)據(jù),推動(dòng)著高速信令的極限,也給內(nèi)存帶來(lái)了前所未有的測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-05-20
內(nèi)存DDR5
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電感選型殺手锏——電感電流與電感量
在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)中電感的設(shè)計(jì)給工程師帶來(lái)許多的挑戰(zhàn),工程師不僅要選擇電感值,還要考慮電感可承受的電流、繞線電阻、機(jī)械尺寸等等。本文解釋了電感上的DC電流效應(yīng),為選擇合適的電感提供必要的信息。
2021-05-19
電感 電感量
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如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng),以及如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時(shí)面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)中,這種影響是明顯的。
2021-05-19
有源米勒鉗位電路 寄生效應(yīng)
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