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LED設(shè)備需求逐漸從價(jià)格驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向技術(shù)驅(qū)動(dòng)
據(jù)了解，LED設(shè)備需求逐漸從價(jià)格驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向技術(shù)驅(qū)動(dòng)，LED設(shè)備呈現(xiàn)更復(fù)雜更高效率的趨勢(shì)。2011年，LED相關(guān)設(shè)備銷售突出。然而2012年的資本輸出前景愁云密布，許多市場(chǎng)分析表示，今年MOCVD設(shè)備銷售一直都在下降，今年將降18%。
2012-02-17
LED led MOCVD
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LED設(shè)備需求逐漸從價(jià)格驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向技術(shù)驅(qū)動(dòng)
據(jù)了解，LED設(shè)備需求逐漸從價(jià)格驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向技術(shù)驅(qū)動(dòng)，LED設(shè)備呈現(xiàn)更復(fù)雜更高效率的趨勢(shì)。2011年，LED相關(guān)設(shè)備銷售突出。然而2012年的資本輸出前景愁云密布，許多市場(chǎng)分析表示，今年MOCVD設(shè)備銷售一直都在下降，今年將降18%。
2012-02-17
LED led MOCVD
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電子元器件市場(chǎng)被有力拉升景氣恢復(fù)在即
去年電子行業(yè)持續(xù)下滑跌入低谷，元器件行業(yè)受其影響整體景氣也隨之陷入低迷，今年經(jīng)過復(fù)蘇，并受到觸控顯示、OLED液晶面板以及中低端智能手機(jī)的帶動(dòng)之下，電子元器件行業(yè)整體處于穩(wěn)定上升狀態(tài)，市場(chǎng)被有力拉升景氣恢復(fù)在即。
2012-02-16
電子元器件 OLED LED 液晶顯示 智能手機(jī)
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電子元器件市場(chǎng)被有力拉升景氣恢復(fù)在即
去年電子行業(yè)持續(xù)下滑跌入低谷，元器件行業(yè)受其影響整體景氣也隨之陷入低迷，今年經(jīng)過復(fù)蘇，并受到觸控顯示、OLED液晶面板以及中低端智能手機(jī)的帶動(dòng)之下，電子元器件行業(yè)整體處于穩(wěn)定上升狀態(tài)，市場(chǎng)被有力拉升景氣恢復(fù)在即。
2012-02-16
電子元器件 OLED LED 液晶顯示 智能手機(jī)
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電子元器件市場(chǎng)被有力拉升景氣恢復(fù)在即
去年電子行業(yè)持續(xù)下滑跌入低谷，元器件行業(yè)受其影響整體景氣也隨之陷入低迷，今年經(jīng)過復(fù)蘇，并受到觸控顯示、OLED液晶面板以及中低端智能手機(jī)的帶動(dòng)之下，電子元器件行業(yè)整體處于穩(wěn)定上升狀態(tài)，市場(chǎng)被有力拉升景氣恢復(fù)在即。
2012-02-16
電子元器件 OLED LED 液晶顯示 智能手機(jī)
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運(yùn)動(dòng)傳感器將成移動(dòng)終端熱門應(yīng)用
敏感元件與傳感器是電子信息裝備制造業(yè)中的基礎(chǔ)類產(chǎn)品，是重點(diǎn)發(fā)展的新型電子元器件中的特種元器件。近年來，在國家大力加強(qiáng)傳感器開發(fā)和應(yīng)用的一系列政策引導(dǎo)和支持下，我國傳感器已形成了一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，并在技術(shù)創(chuàng)新、自主研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化等方面取得了長足進(jìn)展。
2012-02-16
運(yùn)動(dòng)傳感器 移動(dòng)終端
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護(hù)器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
TE 硅靜電放電保護(hù)器件 SESD 保護(hù)器件
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護(hù)器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
TE 硅靜電放電保護(hù)器件 SESD 保護(hù)器件
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護(hù)器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
TE 硅靜電放電保護(hù)器件 SESD 保護(hù)器件
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