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LTE智能手機差異化設計點：基帶平臺
下一代智能手機的競爭焦點將集中于LTE（4G），而LTE也成為手機芯片大廠逐鹿的新戰場。在高通、ST-Ericsson之后，博通也宣布跨入LTE芯片市場，加上聯發科明年的第一代產品亮相，LTE手機平臺大戰將一觸即發。本文進行LTE基帶平臺的盤點和展望。
2012-12-29
LTE LTE基帶 LTE基帶平臺
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如何設計單端場效應管放大器
一般家用的甲類功放，具有的6 W 的功率輸出．足以滿足音樂欣賞的要求．前提是聽音面積不能太大．另外音箱要有較好的靈敏度，從降低制作成本、減小功耗、提高可靠性的角度考慮．需要選擇一種結構簡單，功耗相對較低的線路。
2012-12-29
場效應管 放大器
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淺談反激式電源的開關過程
本文淺析了反激式電源的開關過程，著重描述了Mos管關斷前、后的穩態分析，我們分析的主要問題還是在Q1管子在關斷過程中的響應。
2012-12-29
反激式 電源 開關過程
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如何最簡單有效地提高LED電流？
本文主要是通過具體實施方案，介紹了如何最簡單有效地提高LED電流。提高發射器輸出功率的最簡單方式是通過FET或其它類型的晶體管驅動LED。
2012-12-29
提高 LED 電流
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LED燈是否穩定，散熱至為重要
目前市場上高亮度LED燈的散熱，通常采用自然散熱，效果并不理想。散熱做的不理想，燈具本身的壽命也會受影響。業界對散熱材料的應用，不應只關注散熱系數，而忽略了熱阻值。
2012-12-29
LED 穩定 散熱
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LED照明驅動電源究竟要不要采用電解電容
為什么說高品質的LED照明驅動電源難以去掉電解電容呢?目前無電解電容的LED照明驅動電源是業內的一個關注焦點，LED照明驅動電源究竟要不要采用電解電容，這一話題目前在業界有很多不同的聲音。
2012-12-29
LED 電源 電解電容
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誰是阻礙HB LED發展的元兇？
HB LED的主導性生產技術是InGaN，但此技術仍有一些瓶頸需要克服，目前掌握前瞻技術的業者紛紛針對這些瓶頸提出新的解決方案，希望能進一步拓展HB LED的市場。
2012-12-29
阻礙 HB LED 發展
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誰是阻礙HB LED發展的元兇？
HB LED的主導性生產技術是InGaN，但此技術仍有一些瓶頸需要克服，目前掌握前瞻技術的業者紛紛針對這些瓶頸提出新的解決方案，希望能進一步拓展HB LED的市場。
2012-12-29
阻礙 HB LED 發展
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經濟方便的提升消費電子音質的D類音頻開發
Silicon Labs 為32位嵌入式設計簡化數字D類音頻開發，外部組件僅需要便宜的電感、電容和鐵氧體磁珠，并且無需專門的功率場效晶體管。可以經濟方便的提升消費電子的音質。
2012-12-29
消費電子 D類音頻開發 功率放大
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