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松下敲定收購(gòu)三洋
據(jù)日本媒體報(bào)道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購(gòu)三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。
2008-12-19
電器 消費(fèi)電子 可充電電池 電池
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蘋(píng)果iPhone熱刺激MEMS傳感器銷(xiāo)量大漲
蘋(píng)果iPhone的奇跡，引來(lái)眾廠(chǎng)商紛紛仿效推出有相似功能的產(chǎn)品。尤其是橫向與縱向畫(huà)面自動(dòng)切換功能，刺激了智能手機(jī)中用于探測(cè)運(yùn)動(dòng)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)加速計(jì)的銷(xiāo)售。
2008-12-19
iPhone MEMS傳感器 微機(jī)電
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壓電晶體：完成量的積累期待質(zhì)的突破
在中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體分會(huì)和中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體材料分會(huì)成立20周年之際，我們回顧與思考?jí)弘娋w行業(yè)20年所走過(guò)的路，總結(jié)過(guò)去，籌劃未來(lái)。
2008-12-19
電子元器件 壓電晶體 家信息產(chǎn)業(yè) 國(guó)防軍工 民用 石英晶體
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壓電晶體：完成量的積累期待質(zhì)的突破
在中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體分會(huì)和中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體材料分會(huì)成立20周年之際，我們回顧與思考?jí)弘娋w行業(yè)20年所走過(guò)的路，總結(jié)過(guò)去，籌劃未來(lái)。
2008-12-19
電子元器件 壓電晶體 家信息產(chǎn)業(yè) 國(guó)防軍工 民用 石英晶體
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壓電晶體：完成量的積累期待質(zhì)的突破
在中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體分會(huì)和中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體材料分會(huì)成立20周年之際，我們回顧與思考?jí)弘娋w行業(yè)20年所走過(guò)的路，總結(jié)過(guò)去，籌劃未來(lái)。
2008-12-19
電子元器件 壓電晶體 家信息產(chǎn)業(yè) 國(guó)防軍工 民用 石英晶體
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IRFBxxxxPBF：IR全新基準(zhǔn)高電流MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 導(dǎo)通電阻 TO-220 D2PAK TO-262 電子元器件 分立器件 潘大偉
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IRFBxxxxPBF：IR全新基準(zhǔn)高電流MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 導(dǎo)通電阻 TO-220 D2PAK TO-262 電子元器件 分立器件 潘大偉
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IRFBxxxxPBF：IR全新基準(zhǔn)高電流MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 導(dǎo)通電阻 TO-220 D2PAK TO-262 電子元器件 分立器件 潘大偉
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ACT上市大容量鋰離子電容器
日本電子和ACT上市鋰離子電容器。目前已投產(chǎn)靜電容量為5000F的“A5000”、2000F的“A2000”和1000F的“B1000”3款“Premlis”單元，以及配備有12個(gè)或10個(gè)A5000的“電容器電池”。
2008-12-19
A5000 A2000 B1000 鋰離子電容器 電雙層電容器 EDLC
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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