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LG電子斥資逾8億美元發(fā)展太陽能電池業(yè)務
近日，韓國LG電子表示計劃在2015年以前斥資1兆韓元(約8.28億美元)發(fā)展太陽能電池事業(yè)。LG電子預估在2015年前，太陽能電池事業(yè)將貢獻3兆韓元營收，產(chǎn)能由240百萬瓦提升至10億瓦。
2010-06-23
LG 太陽能 光伏 電池
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歐洲研究項目瞄準能效更高的綠色電子產(chǎn)品
一項全新政府投資研究項目的合作方公布多國/多領域研究計劃“END — 節(jié)能意識設計的模型、解決方案、方法和工具”的細節(jié)。這項為期三年的歐洲納電子計劃顧問委員會（ENIAC）計劃的目標是提高歐洲半導體和電子設備廠商在開發(fā)能效領先于業(yè)界的新產(chǎn)品和新技術方面的市場競爭力。
2010-06-23
END 節(jié)能 綠色 歐洲 半導體 電子設備
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信號速率與線纜長度的關系
致力于CAN通信的設計人員遇到種種挑戰(zhàn)，往返信號傳輸成為一個重要的考慮因素。本文介紹信號速率與線纜長度的關系，解決了傳輸速率和長度的關系，信號的往返將不再是問題。
2010-06-23
信號速率 線纜 CAN通信
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多晶硅錠制造技術
用于制造太陽能硅片的多晶硅錠的生長是一個相當復雜的工藝。硅錠生長工藝的目標在于優(yōu)化硅錠合格率.因此生長工藝需要進行嚴格監(jiān)控，并需對定向凝固爐在結晶工藝期間的無數(shù)種變量加以有效控制。本文簡述多晶硅錠的制造技術
2010-06-23
多晶硅錠 凝固工藝 線切割 凝固爐
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新材料對測量技術的挑戰(zhàn)
在談及芯片技術進步時，除了不斷縮小的技術節(jié)點，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談論較多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進入人們的視野。越是新興的物質(zhì)越難以捉摸和測量，這就要求測量技術能夠“與時俱進”。本文對新材料...
2010-06-23
新材料 測量技術 3D集成 硅通孔技術
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半導體制造晶圓檢測技術分析
半導體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏取１疚慕榻B晶圓檢測方法進展，有效方式識別與良率相關的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術研究
隨著半導體制造技術推進到更加先進的深亞微米技術，半導體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術制作而成，例如BBIC采用CMOS技術、收發(fā)機采用SiGe和BiCMOS技術、RF開關采用GaAs技術等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術的限制，因此不能有效利用上述各項技術的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術
ALD技術的獨特性決定了其在半導體工業(yè)中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學極限，同時高縱寬比在器件結構中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術很難滿足需求，ALD技術已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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