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2012年LED設(shè)備支出將下滑18%，導(dǎo)線架出貨續(xù)增
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(SEMI)日前發(fā)表研究報告指出，全球LED制造設(shè)備支出在2011年大增36%后，預(yù)期2012年將會下滑18%。該機構(gòu)并表示，2012年全球LED月產(chǎn)能將會達200萬片晶圓(以4吋晶圓來計算)，較2011年上升27%。
2012-01-16
LED HB-LED 晶圓 半導(dǎo)體
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TD-LTE發(fā)展升溫 大陸啟動第二階段測試
上證報報導(dǎo)，截至去(2011)年底，由大陸工信部與中國移動(0941.HK)主導(dǎo)的TD-LTE規(guī)模技術(shù)試驗已完成第一階段單模測試，第二階段多模測試也開始展開，包括中興通訊(000063.SZ,0763.HK)旗下中興微電子、聯(lián)芯科技、創(chuàng)毅視訊在內(nèi)的三家廠商率先獲得進入第二階段測試的許可，將參與TD-LTE第二階段規(guī)模技術(shù)...
2012-01-16
TD-LTE 單模 TD-LTE 通訊
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光伏逆變器將是智能電網(wǎng)建設(shè)中主要市場機會
目前，全球面臨著四大亟待解決的問題：全球化、城市化、老齡化和低碳化。這四大問題為電子行業(yè)帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)，同時也帶來了巨大的機遇。首先，整個半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢是以超低功耗來減少能源的消耗。
2012-01-16
光伏 逆變器 能源系統(tǒng) 電力系統(tǒng)
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電子鎮(zhèn)流器的異常保護問題及其保護方案
本文介紹電子鎮(zhèn)流器的異常保護問題及電子鎮(zhèn)流器在異常狀態(tài)下的保護三大方案，并輔以KT120-H系列熱敏電阻在電子鎮(zhèn)流器中的應(yīng)用實例，分析熱敏電阻在電子鎮(zhèn)流器異常保護中的性能。
2012-01-13
電子鎮(zhèn)流器 異常保護 熱敏電阻 PTC
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IGBT強驅(qū)動電路的設(shè)計及電流尖峰抑制方案
根據(jù)脈沖滲碳電源要求，本文設(shè)計了一種具有高可靠性、信號傳輸無延遲、驅(qū)動能力強等特點的IGBT強驅(qū)動電路，詳細分析了工作原理，并對電路測試中出現(xiàn)的電流尖峰進行了抑制。在此基礎(chǔ)上得出幾個主要影響驅(qū)動電路的因素。
2012-01-13
IGBT 開關(guān)電源 驅(qū)動電路 電流尖峰
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防雷元器件的性能與應(yīng)用
正常工作時，開關(guān)元件是斷開的；當(dāng)雷擊浪涌來的時候，開關(guān)元件導(dǎo)通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護了電子設(shè)備免受浪涌沖擊損壞。開關(guān)元件類有陶瓷氣體放電管、玻璃放電管（強效放電管）、半導(dǎo)體過壓保護器（半導(dǎo)體放電管、固體放電管）三種類型。
2012-01-13
防雷 元器件 性能 應(yīng)用
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計算大功率電源中MOSFET的功率耗散
MOSFET的甄選從選擇能夠應(yīng)付所要求的電流、提供足夠的散熱通道開始，在確定了要求的散熱量并確保了散熱途徑后結(jié)束。本文介紹了計算MOSFET功率耗散和確定其工作溫度的步驟說明，并輔以多相位、同步矯正、降壓CPU內(nèi)核20A電源設(shè)計實例，對每個計算步驟進行說明。
2012-01-13
大功率 電源 MOSFET 功率耗散
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太陽能低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器研發(fā)解決方案
太陽能作為綠色能源將是國家大力推廣的節(jié)能項目，而低壓鈉燈是照明工程節(jié)能改造及太陽能照明系統(tǒng)的最佳光源，它以其高光效200lm/W及長壽命，視見分辨率高，對比度好，不受環(huán)境溫度影響的優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于道路、高架橋、隧道和交叉路口等能見度高和顯色性要求不高的地方。
2012-01-13
太陽能 電子 整流器 低壓鈉燈
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基于臺達變頻器的EPS解決方案
EPS（Emergency Power Supply）是應(yīng)急電源的英文字頭縮寫。EPS廣泛應(yīng)用于工業(yè)與民用建筑等發(fā)生突然的斷電事故會給正常的生產(chǎn)、生活造成重大的經(jīng)濟損失的重要供電負荷,是現(xiàn)代建筑安全保障設(shè)施的重要組成部分。
2012-01-13
變頻器 EPS 變頻器 直流供電
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