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源極驅(qū)動器未集成VGH和VGL電源軌的設(shè)計
在許多情況下，您可以使用LCD偏壓電源，如TPS65150-Q1（一種適用于信息娛樂或群集顯示器的汽車LCD/顯示器偏壓解決方案，可大大簡化您的LCD電源設(shè)計）。但還有另一種設(shè)計汽車LCD顯示器的方法，可通過使用更少的源極驅(qū)動器來進(jìn)一步縮減尺寸并節(jié)省材料清單（BOM）成本。
2022-02-14
源極驅(qū)動器 VGH電源軌 VGL電源軌
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如何輕松優(yōu)化 AC／DC 轉(zhuǎn)換器以滿足各種EMC要求
AC/DC 電源設(shè)計人員面臨著持續(xù)的競爭壓力，在提高能效并滿足一系列全球電磁兼容性 (EMC) 要求的同時，還需要降低成本、減少設(shè)計時間和外形尺寸。轉(zhuǎn)換器還必須能夠在各種 AC（有時是 DC）輸入電壓下保持能效和性能，提供寬運(yùn)行溫度范圍，并通過輸出短路和過流保護(hù)確保設(shè)備和用戶安全。
2022-02-14
AC／DC 轉(zhuǎn)換器 EMC
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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)中柵極 源極間電壓
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更高、更快伴生更強(qiáng)要求，迎接DDR5內(nèi)存驗證和調(diào)試挑戰(zhàn)
世界正在經(jīng)歷一個前所未有的時代，數(shù)據(jù)呈爆發(fā)增長之勢，隨著新技術(shù)在更廣泛的范圍內(nèi)實現(xiàn)，這一趨勢預(yù)計將進(jìn)一步加快。典型的實例包括：5G形式的下一代無線通信，領(lǐng)域不斷擴(kuò)展的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、加密貨幣、虛擬現(xiàn)實，甚至汽車等諸多領(lǐng)域。
2022-02-11
DDR5內(nèi)存
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第十屆中國（西部）電子信息博覽會西部電子信息十周年獻(xiàn)禮
2020年5月，中共中央、國務(wù)院推出《關(guān)于新時代推進(jìn)西部大開發(fā)形成新格局的指導(dǎo)意見》，這是西部大開發(fā)20周年之際，對西部大開發(fā)的又一次巨大利好。全球視野下，西部大開發(fā)迎來升級版。四川經(jīng)濟(jì)突飛猛進(jìn)。其裝備制造、航天科技等產(chǎn)業(yè)在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，也是全國重要的基礎(chǔ)電子裝備基地。
2022-02-11
化學(xué)工藝 中國（西部）電子信息博覽會
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如何快速有效地實施靈活的EV充電系統(tǒng)？
電動汽車的發(fā)展趨勢依賴于公共服務(wù)站電動汽車 (EV) 充電基礎(chǔ)設(shè)施的預(yù)期可用性，并且可以通過在用戶的住家和工作場所安裝合適的充電系統(tǒng)來加速發(fā)展。盡管核心設(shè)計要求基本一致，但每一種系統(tǒng)都有專門的要求，從通信平臺到合規(guī)性要求等因素的地區(qū)差異又讓這種情況更加復(fù)雜。
2022-02-09
電動汽車 EV充電系統(tǒng)
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關(guān)于相控陣三種波束成型架構(gòu)的那些事兒~
本文對模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進(jìn)行了比較，并針對接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻(xiàn)，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢。
2022-02-08
相控陣 波束成型架構(gòu)
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官宣|入場必備！CITE2022觀眾登記全面開啟！
每屆CITE大膽創(chuàng)新精益求精的辦展宗旨給業(yè)界留下良好口碑，即使在疫情背景下，CITE 2021通過10 萬平米展示面積、1000+品牌參展、10 萬人次到場觀眾、首創(chuàng)展會直播等規(guī)模和形式，成為電子信息行業(yè)展會的風(fēng)向標(biāo)。
2022-02-06
展會
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如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢？
隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展，器件也在日趨成熟和商業(yè)化，其材料獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動結(jié)溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現(xiàn)在已開始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。
2022-01-28
碳化硅
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