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電動汽車電池及充放電標準將在“十二五”期間出臺
全國政協(xié)委員、中國工程院院士、東北電網(wǎng)有限公司名譽總工程師黃其勵在全國兩會期間透露，目前國家電網(wǎng)正在研究電動汽車充電、電池生產(chǎn)等相關(guān)標準，預計將在“十二五”期間出臺。
2011-03-11
電動汽車電池 充放電標準 十二五
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PC3008：Picochip推出picoXcell?家用基站系統(tǒng)級芯片
Picochip近日在北京宣布推出其下一代picoXcell?家用基站系統(tǒng)級芯片系列的首款產(chǎn)品PC3008，該款器件專為大批量及成本敏感的各種消費應(yīng)用而優(yōu)化。原始設(shè)備制造商(OEM)和原始設(shè)計制造商(ODM)借助這款器件可以在諸如U盤大小的超小體積中構(gòu)建基站。
2011-03-11
PC3008 Picochip picoXcell? 家用基站
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Picochip技術(shù)被Airspan LTE小蜂窩基站采用
Picochip公司日前宣布：其picoArray?技術(shù)已被Airspan公司選用在它的AirSynergy新型多標準“小蜂窩” （picocell / femtocell）基站上，用來實現(xiàn)LTE和其他無線處理任務(wù)。AirSynergy專為在人口密集的城市熱點區(qū)域提供高性能的數(shù)據(jù)處理能力而設(shè)計，它可以很容易地在都市區(qū)域建筑物上部署，或采用密閉封裝...
2011-03-11
Picochip Airspan AirSynergy LTE 小蜂窩 基站
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物聯(lián)網(wǎng)推廣還處于探索階段
2010年我國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)成為熱點，概念股上漲不斷，眾多物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)領(lǐng)域的企業(yè)紛紛投入到物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)研發(fā)應(yīng)用中來，然而我國物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展現(xiàn)狀究竟如何?國脈物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究中心主任助理姜德峰表示，缺乏成熟的商業(yè)模式和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展緩慢等是阻礙我國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要問題。
2011-03-11
物聯(lián)網(wǎng) 商業(yè)模式 發(fā)展緩慢
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2010年中國手機產(chǎn)業(yè)兩大顯著變化
水清木華研究中心指出，經(jīng)歷2009年的衰退后，2010年全球手機出貨量大增，增幅高達20.8%，達到14.25億部。2011年全球經(jīng)濟面臨諸多挑戰(zhàn)，通貨膨脹嚴重。由于2010年的基數(shù)已高，2011年大部分企業(yè)無法維持大幅度成長，因此預計2011年全球手機出貨量微幅成長5.1%，達到 14.98億部。2010年大幅度成長的主...
2011-03-11
手機 便攜產(chǎn)品 水清木華
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完美結(jié)合ARM Cortex，富士通如虎添翼
ARM微處理器現(xiàn)已遍及工業(yè)控制、消費類電子產(chǎn)品、通信系統(tǒng)、天線系統(tǒng)等各類產(chǎn)品市場，ARM技術(shù)也正在逐步滲透到我們生活的各個方面。目前在32位MCU市場，有些廠商正在放棄自身架構(gòu)而采用ARM Cortex，那么ARM Cortex是否會成為未來32位MCU市場的唯一選擇？就此問題，電子元件技術(shù)網(wǎng)采訪了富士通半導體...
2011-03-10
ARM Cortex 富士通 新8FX MCU系列產(chǎn)品 蔡振宇
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SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該...
2011-03-10
SiR870DP Si4190DY Vishay TrenchFET? 功率MOSFET
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SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該...
2011-03-10
SiR870DP Si4190DY Vishay TrenchFET? 功率MOSFET
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印刷電路板表現(xiàn)優(yōu) 北美1月軟板接單額年增5.3%
美國印刷電路板協(xié)會(IPC)近日公布，2011年1月北美總體印刷電路板(PCB)制造商接單出貨比(book-to-bill ratio)為 0.97，略高于前月的0.96，但為連續(xù)第4個月低于1。北美總體PCB制造商BB值先前曾連續(xù)17個月高于1...
2011-03-10
PCB 美國印刷電路板協(xié)會 IPC book-to-bill ratio
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